Версия для печати
Технические характеристики STP30NF10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 25V
Power - Max	115W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP30NF10 (MOSFET) N-channel 100V - 0.038? - 35A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP30NF10 datasheet 508.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER508 (5A 1000V)		Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
		LM324		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
		LM324		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	SMT
		LM324		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	OTHER	771
		LM324		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
		LM324		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	JSCJ	3 374	6.41
		PDTC114ET,215			NXP Semiconductors
		PDTC114ET,215			NXP
		PDTC114ET,215			NEXPERIA
		PDTC114ET,215			NEX
		PDTC114ET,215			NXP/NEXPERIA
		PDTC114ET,215			NEX-NXP	224	4.39
		PDTC114ET,215				23 896	1.16
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	9.60
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	3 487	3.50
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	4 871	1.98
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	12.24
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	18 400	1.97
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	12 758	5.22
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			277.40
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"