STP4NK60ZFP

N-MOS 600V, 4A, 25W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP4NK60ZFP (ST MICROELECTRONICS)	400	38.93
STP4NK60ZFP	57	86.40

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики S,мА/В 3000
Корпус TO220FP
Пороговое напряжение на затворе 4.5

Версия для печати

Технические характеристики STP4NK60ZFP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP4NK60Z (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 600V - 1.76 Ohm - 4A TO-220 / FP / DPAK / IPAK / D2PAK / I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET

Также в этом файле: STP4NK60ZFP, STP4NK60ZFP

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP4NK60ZFP datasheet
759.75Kb
16стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	SANYO
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	SAN
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz		8	27.60
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	КИТАЙ
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	JCET
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	8	24.00
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	INFINEON
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	VISHAY	1 920
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LIT	5 924	16.00
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA		42	29.87
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	9
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	MOTOROLA	172	24.00
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	EVERLIGHT	1 340	24.00
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	FAIRCHILD	35	24.00
CNY17-2	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=55V, CurTr(min)=125%, 5mA	1
ST1803DHI [MD1803DFX]		ST MICROELECTRONICS
ST1803DHI [MD1803DFX]
TDA16846(P)	Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	INFINEON
TDA16846(P)	Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz			119.44
TDA16846(P)	Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	ГЕРМАНИЯ
UC3844BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3844BD1		ST MICROELECTRONICS	26	91.80
UC3844BD1				52.00
UC3844BD1		ON SEMICONDUCTOR	256
UC3844BD1		STMicroelectronics
UC3844BD1		ST MICROELECTRONICS SEMI

STP4NK60ZFP

N-MOS 600V, 4A, 25W

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: