Версия для печати
Технические характеристики STP8NK80Z

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1320pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP8NK80Z (MOSFET) N-channel 800V - 1.3? - 6.2A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP8NK80Z datasheet 417.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		521СА301			АЛЬФА РИГА	12	673.40
		521СА301				151	1 260.00
		521СА301			РИГА
		521СА301			МСХ1
		521СА301			САРАНСК
		521СА301			ОРБИТА
		521СА301			РД-АЛЬФА
		521СА301			МИКРО-М
		521СА301			RD-АЛЬФА
		521СА301			МИКРОН
		521СА301			RUS
		521СА301			МИКРОМ
		521СА301			КАЛУГА
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
		STP4NK80ZFP		N-channel 800v - 3? - 3a - to-220fp zener - protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS	144	92.64
		STP4NK80ZFP		N-channel 800v - 3? - 3a - to-220fp zener - protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP4NK80ZFP		N-channel 800v - 3? - 3a - to-220fp zener - protected supermesh™ mosfet		140	71.88
		STP4NK80ZFP		N-channel 800v - 3? - 3a - to-220fp zener - protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP4NK80ZFP		N-channel 800v - 3? - 3a - to-220fp zener - protected supermesh™ mosfet	КИТАЙ
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	ST MICROELECTRONICS	52	178.50
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A		1	130.80
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	КИТАЙ
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	ST1
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	ST MICROELECTRO
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	NO NAME
		TDA9302H		ИМС Операционный усилитель С.35В 1.8A	1
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	FAI/QTC
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	FAIR
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	TEXAS INSTRUMENTS
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	UTC
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	ON SEMICONDUCTOR	266	66.30
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц		5	174.24
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	Fairchild Semiconductor
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	STMicroelectronics
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	ON SEMIC
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	ST MICROELECTRONICS
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	TEXAS
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	TEXAS INSTRUMEN
		UC3842AN		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"