|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
|
6
|
56.70
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
EIC
|
1 860
|
10.03
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZX55-C16 |
|
|
DC COMPONENTS
|
18 455
|
1.28
|
|
|
|
BZX55-C16 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
24 905
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
27
|
5.67
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
2 118
|
2.01
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
22 521
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
27 600
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ASEMI
|
3 040
|
1.16
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
|
24 008
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
OTHER
|
3 972
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY ME
|
1 137
|
1.89
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
PANJIT
|
732
|
2.01
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
HOTTECH
|
39 420
|
1.01
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YIXING
|
18 800
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
RUME
|
16 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
15 660
|
1.06
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
38 396
|
3.34
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
2 558
|
2.46
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
3.10
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
269
|
4.75
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.49
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
6 560
|
2.34
|
|