MFR-12FTF52- 51K1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ONS	304	97.42
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTOR
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)			13.96
1N5349BRLG	Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)	ON SEMICONDUCTO
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ				339.20
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ		ЦПТА
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
IRFBE30	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
MF-0.5-51K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.5-51K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			1.48
Д226 В			5	17.04