|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ONS
|
1 280
|
118.08
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
|
|
13.96
|
|
|
|
1N5349BRLG |
|
Стабилитрон (Vz=12V(nom) @Iz=100 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
|
184
|
96.80
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
|
4
|
144.00
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
TOSHIBA
|
7 040
|
53.14
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
|
63
|
52.80
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ISOCOM
|
131
|
15.74
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
CHINA
|
512
|
27.22
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ISO
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
1
|
|
|
|
|
|
Д226 В |
|
|
|
5
|
17.04
|
|