KBPC806 8A 600V ( BR806)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3298	Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220	TOSHIBA
2SC3298	Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220			48.96
2SC3298	Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220	TOS
2SC3298	Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
2SC3298	Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	MICRO CHIP	12	1 180.80
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte			429.16
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	MICRO CHIP
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	Microchip Technology
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
PIC16F876A-I/SP	8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte	MCHIP
КД257Д	3А.1000В	НПП ТЭЗ
КД257Д	3А.1000В		660	259.00
КД257Д	3А.1000В	СЗТП
КД257Д	3А.1000В	ТЭЗ	266	306.00
КД257Д	3А.1000В	ТОМИЛИНО
КД509А	Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ...		676	2.00
КД509А	Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ...	БРЕСТ
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный		78	177.12
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный	ТОМИЛИНО