STTH30R06CW
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 15A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 15A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Through Hole, Radial |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм |
|
6.00 | ||
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTRON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | HSUAN MAO |
|
|
|
| L7824ABD2T-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | 855 | 38.72 | ||||||
 |
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet |
|
|
||
| КТ815Б2 |
|
|
||||||
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
