|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
|
180
|
92.33
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
SPTECH
|
240
|
111.11
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
227
|
28.00
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
35.70
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
|
|
|
|