STGD5NB120SZT4
Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а
Версия для печати
Технические характеристики STGD5NB120SZT4
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Power - Max | 75W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGD5NB120SZT4 (IGBT)
Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А
Производитель:
STMicroelectronics
|
