MUN5311DW1T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MUN5311DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	20 362	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUN5311DW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC0805KKX5R8BB475		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0805KKX5R8BB475		YAGEO	49 028	1.66
CC0805KKX5R8BB475
CRCW2010330RJNEF		VISHAY
CRCW2010330RJNEF		Vishay/Dale
CRCW2010330RJNEF
CRCW2010330RJNEF		VIS
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	4 432	6.96
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
NCP1406SNT1G		ONS
NCP1406SNT1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1406SNT1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1406SNT1G				49.96
NCP1406SNT1G		ONSEMICONDUCTOR
RC0603JR-07200KL		YAGEO	396 489	0.65 >1000 шт. 0.13
RC0603JR-07200KL		YAGEO	9 677
RC0603JR-07200KL