SDR1307-330KL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SDR1307-330KL (BOURNS)	106	60.54

Версия для печати

Технические характеристики SDR1307-330KL

Производитель	BOURNS, INC.
Номинальная индуктивность	33 мк Гн
Допуск индуктивности	±10%
Ток насыщения на 20С	5 А
Ток RMS	3.1 А
Частота тестирования	2.52 МГц
Резонансная частота типичная	10 МГц
Максимальное омическое сопротивление	65 мОм
Добротность типичная на частоте 1	35
Тип монтажа	SMD
Магнитное экранирование	Нет
Размер корпуса	13.0x13.0x7.0 мм
Рабочая температура	-40...125 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	VISHAY
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SENSITRON
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	48.45
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52		32	21.12
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SENSITRON
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	Vishay/Semiconductors
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	HOTTECH	4 756	12.14
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	1
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	SMCMICRO	1 119	31.58
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	LGE	2 861	14.46
30BQ040	Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52	KEENSIDE	31	5.98
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)		1 920	26.29
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	ФИЛИППИНЫ
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INFINEON
IRF7341	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	SLKOR	566	17.37
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 560	14.20
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	MOTOROLA	23	30.00
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	ONS	11	30.00
PESD5V2S2UT		NXP	800	12.24
PESD5V2S2UT		PHILIPS
PESD5V2S2UT		NXP	2 120
PESD5V2S2UT		PHILIPS	2 464
PESD5V2S2UT
PESD5V2S2UT		PHILIPS SEMIC
PESD5V2S2UT
PESD5V2S2UT		YOUTAI	206 064	2.15
PESD5V2S2UT		UMW-YOUTAI
PESD5V2S2UT		КИТАЙ	319	4.00
PESD5V2S2UT		NEXPERIA	520	5.89