IRFR3710ZPBF
Транзистор N-канальный MOSFET 100V 56A
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 33A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2930pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМДТ27КПН19Ш5А1В | 7 | 3 060.00 | ||||||
| 2РМДТ27КПН19Ш5А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В |
|
606.04 | ||||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ЭЛЕКОН | 12 | 6 783.00 | |||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ЛТАВА |
|
|
|||||
 |
 |
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото |
|
|
||
|
|
|
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото |
|
|
||
|
|
|
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | ЭЛЕКОН | 52 | 8 180.40 | |
| 2Т215А-9 |
|
70.80 | ||||||
| 2Т215А-9 | ДАЛЕКС |
|
|
|||||
| ESQ-120-14-G-D | SAMTEC |
|
|
|||||
| ESQ-120-14-G-D |
|
917.20 | ||||||
| ESQ-120-14-G-D | Samtec Inc |
|
|
