|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
124 162
|
2.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIC
|
394 593
|
1.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC
|
74 182
|
3.27
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JGD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MING SHUN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
XR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
COMPACT TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
288
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PANJIT
|
307 692
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE SEMICONDUCT
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ
|
95 844
|
1.40
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YJ ELE-NIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA COM-NTS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ELECTRICAL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
EXTRA
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
|
16 151
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
LGE
|
114
|
1.94
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
HOTTECH
|
92 991
|
1.36
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KLS
|
12 000
|
2.95
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE
|
127 200
|
1.76
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
MC
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KUU
|
1
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CHINA
|
15 317
|
1.02
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNRISETRON
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BILIN
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
KEHE
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
BL
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
SUNTAN
|
96 468
|
2.26
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
TWGMC
|
43 635
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4007 |
|
|
JUXING
|
125
|
2.78
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DC COMPONENTS
|
12 009
|
16.38
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
|
23
|
46.80
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
OTHER
|
3
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
SUNTAN
|
5 763
|
8.62
|
|
|
|
1N5349B |
|
Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
|
LGE
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
|
|
238.00
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJL21194G |
|
Транзистор NPN 250V 16A 200W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJL21194G |
|
Транзистор NPN 250V 16A 200W
|
|
|
|
|
|
|
MJL21194G |
|
Транзистор NPN 250V 16A 200W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJL21194G |
|
Транзистор NPN 250V 16A 200W
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
246
|
9.60
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
8 983
|
3.94
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
12 997
|
2.22
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
12.24
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
19 200
|
2.95
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
14 544
|
5.86
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|