MMBZ15VALT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
| Voltage - Breakdown | 14.25V |
| Мощность (Ватт) | 40W |
| Polarization | 2 Channel Array - Unidirectional |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM3671MF-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 |
|
|
||||||
| LM3671MF-3.3 | NSC |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | США |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 |
|
|
||||||
| LM3671MF-3.3 | TEXAS |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | 1 |
|
|
|||||
 |
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 3 | 14.40 | |||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 9 836 |
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMIC |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | YOUTAI | 5 404 | 3.15 | ||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 1 |
|
|
||||
| NCP1521BSNT1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G |
|
|
||||||
| NCP1521BSNT1G | ONS-FAIR |
|
|
|||||
 |
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 1 424 | 59.64 | ||
|
|
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm |
|
209.20 | |||
| SS14 T/R | YJ |
|
|
|||||
| SS14 T/R | MIC | 23 689 | 2.58 | |||||
| SS14 T/R |
|
|
