Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
10000МКФ 50 (30X45)105°C |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
|
|
217.36
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
MIC
|
179
|
125.22
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
8
|
91.22
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE
|
3 040
|
79.49
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
HOTTECH
|
1 841
|
146.06
|
|
|
|
|
SQP 10W 0.15 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 0.15 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 0.15 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TLP521-4GB |
|
Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR
|
TOSHIBA
|
2 800
|
177.12
|
|
|
|
|
TLP521-4GB |
|
Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR
|
|
|
106.68
|
|
|
|
|
TLP521-4GB |
|
Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TLP521-4GB |
|
Оптрон 4-кан. 5.3кВ CTR
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)
|
ТОНДИ
|
|
|
|
