ADR291GRZ
ИОН Uвых=2.5В, Uвх=2.8:15В, Iвых=5мА, 25ppm/°C, -40°C to +125°C, SOIC8
Версия для печати
Технические характеристики ADR291GRZ
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Ток выходной | 5mA |
Ток в рабочей точке(ВАХ) | 15µA |
Количество каналов | 1 |
Напряжение входное | 2.8 V ~ 15 V |
Температурный коэфициент | 30ppm/°C |
Допустимые отклонения емкости | ±0.24% |
Напряжение выходное | 2.5V |
Reference Type | Series, Precision |
Серия | XFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Tolerance | ±0.24% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают: