| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
|
360
|
37.32
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
|
К73-17 250В 47НФ 5% |
|
|
UNITRA
|
|
|
|
|
|
|
К73-17 250В 47НФ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К73-17 250В 47НФ 5% |
|
|
UNITRA ЧЕХОСЛОВАКИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
|
271
|
117.30
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102В |
|
|
ЭЛЕКС
|
168
|
295.20
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
6 048
|
8.80
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
1 300
|
10.00
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
532
|
12.24
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
