|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
|
|
85.24
|
|
|
|
2SK2842 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 12A, 40W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
|
552
|
71.85
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250N |
|
Транзистор полевой
|
JSMICRO
|
267
|
53.85
|
|
|
|
IRG4PC50FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
463.92
|
|
|
|
IRG4PC50FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MIP2K4OMS |
|
|
|
|
|
|
|
|
MIP2K4OMS |
|
|
PAN
|
|
|
|
|
|
MIP2K4OMS |
|
|
|
|
|
|
|
|
MIP2K4OMS |
|
|
MAT
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 966
|
128.94
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
|
|
320.00
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 600V 10A 115W 0,75R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|