TAJB475M016R

Конденсатор ТАНТАЛ. SMDB 4,7мкФ 16В 20%

TAJB475M016R

Версия для печати

Технические характеристики TAJB475M016R

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	4.7 мкФ
Серия	TAJ
Корпус (размер)	3528-21
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0.22UF 250V 10% CL21
		RC1206JR-0710K		Резистор SMD, 1206, 10кОм, 0.25Вт, 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0710K		Резистор SMD, 1206, 10кОм, 0.25Вт, 5%	YAGEO
		RC1206JR-0710K		Резистор SMD, 1206, 10кОм, 0.25Вт, 5%	PHYCOMP
		RC1206JR-0710K		Резистор SMD, 1206, 10кОм, 0.25Вт, 5%	YAGEO
		SH100M0010BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В	YAGEO
		SH100M0010BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH100M0010BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH100M0010BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 100 В
		SK100M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В	YAGEO	325	13.18
		SK100M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK100M0022B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

радиодетали кварц микросхемы магазин

О компании

Контакты

Как купить?

Доставка

Вакансии

Корзина

Товаров: 0, на 0.00 руб.

оформить | очистить