MBT6429DW1T1G


MBT6429DW1T1G (заказ)
MBT6429DW1T1G TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
MBT6429DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.) 16 500 3-4 недели
Цена по запросу

TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363

Технические характеристики MBT6429DW1T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
Transistor Type2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce500 @ 100µA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition700MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSOT-363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru