MBT6429DW1T1G
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
MBT6429DW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.) |
16 500 |
3-4 недели Цена по запросу
|
TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363
|
Технические характеристики MBT6429DW1T1G
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 100µA, 5V |
Power - Max | 150mW |
Frequency - Transition | 700MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru