IRF9333
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82477P4223M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82477P4223M000 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| B82477P4223M000 |
|
|
||||||
| B82477P4223M000 | TDK-EPC | 172 | 124.61 | |||||
| B82477P4683M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82477P4683M000 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| B82477P4683M000 |
|
|
||||||
| B82477P4683M000 | TDK-EPC | 280 | 148.90 | |||||
 |
 |
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 1 | 15.48 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
 |
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5% | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5% | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5% | YAGEO |
|
|
||
 |
|
WSL0805R1000FEA |
|
Vishay/Dale |
|
|
||
|
|
|
WSL0805R1000FEA |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
WSL0805R1000FEA |
|
2 400 |
|
