FQA55N25

Версия для печати

Технические характеристики FQA55N25

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 27.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	55A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6250pF @ 25V
Power - Max	310W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQA55N25 (N-канальные транзисторные модули)

250v N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQA55N25 datasheet
803.12Kb
8стр.