Версия для печати
Технические характеристики FLZ4V7A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	4.7V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	190nA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	21 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80
Корпус	SOD-80
Рабочая температура	-65°C ~ 175°C
Tolerance	±2%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5087			FAIR
		2N5087			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5087			ON SEMICONDUCTOR
		2N5087			FAIRCHILD
		2N5087			FAIRCHILD
		2N5087			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5087			ON SEMICONDUCTOR
		2N5087
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
		BC817		Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	396 458	1.34
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	ALLEGRO
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)			38.80
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	MOTOROLA
		MPSA13		Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, B>5000@I=10mA, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		КП507А		Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...			24.80
		КП507А		Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	2 716	42.00
		КП507А		Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	КРЕМНИЙ	814	9.07
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...		1 188	15.12
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	БРЯНСК	2 751	8.40
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	МИНСК	1 274	8.40
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	RUS
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	РИГА
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ3107К		Транзистор кремниевый структуры p-n-p усилительный, с нормированным коэффициентом шума ...	НАЛЬЧИК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"