Версия для печати
Технические характеристики NTD20P06LT4G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 7.5A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1190pF @ 25V
Power - Max	65W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		78 124	1.08
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	10.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	6 627	2.82
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	11.40
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	35 008	2.39
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	222 669	1.85
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 311 735	1.52
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	405	2.19
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	817 427	1.09
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NSC
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)			130.40
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	HGSEMI	1 209	29.21
		STN3PF06		Транзистор	ST MICROELECTRONICS
		STN3PF06		Транзистор	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STN3PF06		Транзистор	STMicroelectronics
		STN3PF06		Транзистор
		STN3PF06		Транзистор
		STN3PF06		Транзистор	ST MICROELECTRO
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		250	38.60
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	STMicroelectronics
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		250	38.60
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	КИТАЙ
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRO
		SVAL0013PW-10V-I1A			SMARTMODULE
		SVAL0013PW-10V-I1A

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"