TLC549IP
ИМС DIP
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-PDIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания источника | Single Supply |
| Мощность рассеивания (макс.) | 9mW |
| Число преобразователей | 1 |
| Интерфейс подключения | Serial |
| Частота амплитудно-импульсной модуляции | 40k |
| Бит | 8 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TLC549I 8-bit Analog-to-digital Converters With Serial Control Также в этом файле: TLC549IP
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
KBPC3510 35А 1000В (MB3510) |
|
Диодный мост 35A, 1000V |
|
|
||
 |
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
72.00 | ||
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ368А9 |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| МЛТ-1-2 ОМ-5% | 4 056 | 5.28 | ||||||
| СПЛАВ "РОЗЕ" 100ГР |
|
|
