Версия для печати
Технические характеристики IRF3710PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	57A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 28A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3130pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		400	28.78
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	2	62.98
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		3 020	23.77
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		TA8191F			TOSHIBA
		TA8191F			TOS
		TA8191F					59.44
		К 1156 ЕУ5АР			RUS
		К 1156 ЕУ5АР			НТЦ СИТ
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		509	9.62
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	8	13.26
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	6 452	12.40
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"