МАРКЕР Д/РИСОВ.ПЕЧ.ПЛАТ EDDING-780 0.8ММ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP			8.40
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	AUK
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	ZHEN
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	KLS
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	CONNFLY
SCS-8 (2.54MM)	Панель для микросхем в узких корпусах DIP	RUICHI
ИК-ПРИЁМ.:TSOP-1736 (36КГЦ)	ИК-приемник 36кГц	VISHAY
ИК-ПРИЁМ.:TSOP-1736 (36КГЦ)	ИК-приемник 36кГц	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ИК-ПРИЁМ.:TSOP-1736 (36КГЦ)	ИК-приемник 36кГц	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 156	31.68
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	30.60
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 748	32.00
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ ФОЛЬГИР.1.5ММ 1-СТОР.С/Х
ФОНАРЬ АККУМ. ОБЛИК 215 НА 15СВ/Д
ФОНАРЬ АККУМ. ОБЛИК 215 НА 15СВ/Д
ФОНАРЬ АККУМ. ОБЛИК 215 НА 15СВ/Д		КИТАЙ