IKW50N60T

IGBT 600V 80A 333W TO247-3

Версия для печати

Технические характеристики IKW50N60T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchStop™
IGBT Type	Trench and Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 50A
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Power - Max	333W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IKW50N60T datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOS	91	103.82
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)		2	147.42
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	FAIR
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA	180
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ONS	80	169.74
NCP1200P60G				196.00
NCP1200P60G		КИТАЙ
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTO
RURG5060		FSC
RURG5060
RURG5060		Fairchild Semiconductor
RURG5060		КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
RURG5060		ONS	24	389.35
RURG5060		FAIRCHILD	56
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		16 109	1.86 >100 шт. 0.93
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	112	4.13
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	8 792	1 644.30
STD3NK90ZT4		ST MICROELECTRONICS	459	79.42
STD3NK90ZT4		STMicroelectronics
STD3NK90ZT4
STD3NK90ZT4		КИТАЙ
STD3NK90ZT4
STD3NK90ZT4		ST MICROELECTRONICS SEMI