IKW50N60T

IGBT 600V 80A 333W TO247-3

Версия для печати

Технические характеристики IKW50N60T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchStop™
IGBT Type	Trench and Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 50A
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
Power - Max	333W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IKW50N60T datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOS	88	101.42
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)		2	147.42
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	FAIR
2SK3567	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 3.5A, 35W)	TOSHIBA	180
ICE2PCS01GXT		INFINEON
ICE2PCS01GXT
ICE2PCS01GXT		4-7 НЕДЕЛЬ	104
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ONS	80	165.89
NCP1200P60G				196.00
NCP1200P60G		КИТАЙ
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1200P60G		ON SEMICONDUCTO
NCP1200P60G		4-7 НЕДЕЛЬ	35
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		15 309	1.86 >100 шт. 0.93
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	112	4.13
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	21 592	1.82
STD3NK90ZT4		ST MICROELECTRONICS	459	77.54
STD3NK90ZT4		STMicroelectronics
STD3NK90ZT4
STD3NK90ZT4		КИТАЙ
STD3NK90ZT4
STD3NK90ZT4		ST MICROELECTRONICS SEMI