| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
112
|
387.64
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
1
|
377.85
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
552
|
430.14
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
12
|
442.80
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
S2055AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D+R 1500V, 8A, 50W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
S2055AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D+R 1500V, 8A, 50W
|
TOSHIBA
|
84
|
60.00
|
|
|
|
|
S2055AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D+R 1500V, 8A, 50W
|
|
1
|
118.80
|
|
|
|
|
S2055AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D+R 1500V, 8A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
S2055AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D+R 1500V, 8A, 50W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STL90N3LLH6 |
|
N-channel 30 v, 0.0028 ?, 24 a powerflat™ (6x5) stripfet™ vi deepgate™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STL90N3LLH6 |
|
N-channel 30 v, 0.0028 ?, 24 a powerflat™ (6x5) stripfet™ vi deepgate™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STL90N3LLH6 |
|
N-channel 30 v, 0.0028 ?, 24 a powerflat™ (6x5) stripfet™ vi deepgate™ power mosfet
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
STL90N3LLH6 |
|
N-channel 30 v, 0.0028 ?, 24 a powerflat™ (6x5) stripfet™ vi deepgate™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STL90N3LLH6 |
|
N-channel 30 v, 0.0028 ?, 24 a powerflat™ (6x5) stripfet™ vi deepgate™ power mosfet
|
|
|
|
|
Версия для печати
