IRF7607

Версия для печати

Технические характеристики IRF7607

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1310pF @ 15V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro8™
Корпус	Micro8™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7607 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7607 datasheet
144.1 Кб