Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
Power - Max | 45W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DO5022P-102MLD | COILCRAFT | |||||||
DO5022P-102MLD | COILCRAFT | |||||||
DO5022P-102MLD | ||||||||
LC01-6 | SEMTECH | |||||||
LC01-6 | SEMTECH | |||||||
LQH32CN4R7M33L 4.7МКГН 20% 1210 ЧИП ИНДУКТИВНОСТЬ | MURATA | 259 | 6.00 | |||||
PM3316-1R5M-RC | JW Miller A Bourns Company | |||||||
PM3316-1R5M-RC | ||||||||
SRDA3.3-4 | SEMTECH | |||||||
SRDA3.3-4 | ||||||||
SRDA3.3-4 | SEMTECH |
|