ULQ2003D1013TR
7 ключей на составных транзисторах
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | Darlington Array |
| Number of Drivers/Receivers | 7/0 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 16-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | INFINEON | 52 | 295.80 | |
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | 1 | 288.00 | ||
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | США |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | 1 |
|
|
|
| SQP 10W 33 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 33 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 10W 510 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 510 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| К1033ЕУ1 | 17 | 112.32 | ||||||
 |
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | 266 | 70.40 | ||
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | КВАЗАР |
|
|
