PHD9NQ20T


N-канальный trenchmos™ транзистор

Купить PHD9NQ20T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PHD9NQ20T
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
PHD9NQ20T (PHILIPS.) 3 812 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD9NQ20T

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияTrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.7A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds959pF @ 25V
Power - Max88W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD9NQ20T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор

Производитель:
NXP

PHD9NQ20T datasheet
115.5 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход