|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 423pF @ 10V |
Power - Max | 460mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | 3-SSOT |
Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
FDN327N (MOSFET) N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR3717 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR3717 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | 38 | |||||
IRLR3717 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | |||||||
IRLR3717 | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON | ||||||
MC14515BDWR2G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MC14515BDWR2G | ONS | 1 | 329.06 | |||||
MC14515BDWR2G | ||||||||
MC14515BDWR2G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
SI2302DS | PHILIPS | |||||||
SI2302DS | NXP | |||||||
SI2302DS | PHILIPS | |||||||
SI2302DS | ||||||||
SI2302DS | NXP | |||||||
T491C336K016AT | KEMET | |||||||
T491C336K016AT | ||||||||
T491C336K016AT | МЕКСИКА | |||||||
T491C336K016AT | KEMET | |||||||
T491C336K016AT | KEM | |||||||
TAJA475K016RNJ | Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В | AVX | 40 | 10.84 | ||||
TAJA475K016RNJ | Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В | AVX | ||||||
TAJA475K016RNJ | Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В | AVX Corporation | ||||||
TAJA475K016RNJ | Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В | |||||||
TAJA475K016RNJ | Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В | KYOCERA-AVX | 1 | 11.10 |
|