Версия для печати
Технические характеристики BC846A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	110 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BC 846A NPN Silicon AF Transistors Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BC846A datasheet 130.05Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	74 214	2.59
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	535	2.27
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		67 797	1.54  >100 шт.   0.77
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	80	8.40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	16.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	16.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	10	2.17
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	14 567	2.46
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	2.21
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	268 055	1.06
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	81 333	2.34
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	118 779	1.09
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM	149	1.35
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	12 860	1.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES	8 239	1.67
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	9 409	1.18  >100 шт.   0.59
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	44 132	1.16
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	130 560	1.55
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	9.67
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)			6.80
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	4 399
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YJ	67	1.25
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA
		LM293DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM293DR			TEXAS INSTRUMENTS
		LM293DR			TEXAS	1 290	16.92
		LM293DR			TEXAS INSTRUMEN
		LM293DR				7 000	12.25
		LM293DR			TEXASINSTRUMENTS
		LM293DR			UMW	960	10.33
		LM293DR			YOUTAI	6 624	6.92
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8	MAXIM
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8			592.00
		MAX756EPA		DC/DS, повышающий, Ind PDIP8	MAX
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP	751	547.26
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz		101	468.64
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	Microchip Technology
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F876A-I/SO		Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"