КП303А9
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 68 КОМ 5% | EXTRA |
|
|
|||||
| 0805 68 КОМ 5% | ROYALOHM |
|
|
|||||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 800 | 30.60 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
|
 |
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | 292 | 123.20 | ||
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УЛЬЯНОВСК | 4 321 | 34.00 | |
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УРЛЗ | 232 | 216.48 | |
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КАЛУГА |
|
|
|
| С2-10-1 ВТ 2 ОМ 0.5% | 1 764 | 38.40 | ||||||
| УПЧЗ-2МС | 160 | 50.00 |
