|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
68
|
112.00
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
240
|
84.00
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
40
|
280.50
|
|
|
|
Д246А |
|
Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
266
|
66.30
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
880
|
216.48
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
|
82
|
178.33
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
САРАНСК
|
16
|
100.00
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
СЗТП
|
20
|
295.80
|
|
|
|
КД203А |
|
Диод кремниевый, диффузионный, для преобразования переменного напряжения частотой до 5 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
11 340
|
10.50
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 612
|
9.10
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
4 720
|
25.58
|
|