|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-LQW18A_006.2NHD |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN1R0M23L |
|
Катушки индуктивности SMD
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN1R0M23L |
|
Катушки индуктивности SMD
|
MURATA
|
4
|
7.87
|
|
|
|
LQH32CN1R0M23L |
|
Катушки индуктивности SMD
|
MUR
|
2 692
|
10.63
|
|
|
|
LQH32CN1R0M23L |
|
Катушки индуктивности SMD
|
|
|
22.40
|
|
|
|
LQH32CN1R0M23L |
|
Катушки индуктивности SMD
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
|
MUR
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-075R6L |
|
|
YAGEO
|
11 702
|
0.75
>500 шт. 0.25
|
|
|
|
RC0805JR-075R6L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-075R6L |
|
|
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
37 285
|
1.07
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
6 025
|
4.92
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
4 800
|
1.30
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
7 386
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
752
|
4.92
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
19 884
|
1.27
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|