| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
|
6
|
56.70
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
EIC
|
588
|
10.62
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24N |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24N |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
|
|
1 362
|
45.42
|
|
|
|
|
IRF9Z24N |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24N |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
28.40
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
SQP-5W-5.1 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
