IRFD110
Транзистор полевой
|
Структура N-канал |
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD110 Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.54ohm, Id=1.0a)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | 2РМГ22БПН10Ш1Е2Б Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ... 1852.36 руб Купить |
 | P10CU-0515Z Dc/dc конвертор мощностью 2 вт, корпус sip-7, с напряжением изоляции 1000 вольтПараметры входа Диапазон напряжения - ± 10% Фильтр - Конденсаторы ... Купить |
 | MC9S08DV32V 8-разрядные can микроконтроллеры с ядром hcs08 Купить |
