| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SK1643 |
|
Транзистор полевой
|
|
1
|
398.40
|
|
|
|
|
2SK1643 |
|
Транзистор полевой
|
TOSHIBA
|
|
|
|
 |
 |
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
|
|
283.20
|
|
|
|
|
2SK2837 |
|
Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS
|
256
|
442.80
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
440.00
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
15
|
755.70
|
|
Версия для печати
