DDA010

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FSDH0265R(N)	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, 67kHz, Pout<27W	FAIR
FSDH0265R(N)	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, 67kHz, Pout<27W	FSC
FSDH0265R(N)	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, 67kHz, Pout<27W			134.32
FSDH0265R(N)	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, 67kHz, Pout<27W	FSC1
FSDH0265R(N)	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=1.5A, 67kHz, Pout<27W	КИТАЙ
ICE1HS01G		Infineon Technologies
ICE1HS01G
ICE1HS01G		INFINEON
ICE1HS01G
ICE1HS01G		1
THX203H	Контроллер питания		68	115.20
THX203H	Контроллер питания	UNKNOWN
THX203H	Контроллер питания	КИТАЙ
THX203H	Контроллер питания	THX
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).		803	71.40
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОМИЛИНО
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	ТОР
КН102А	Отечественный динистор (диодный тиристор).	РОССИЯ
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	4	1 326.00
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		133	192.50
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР