Версия для печати
Технические характеристики IRL3713STRLPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	260A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5890pF @ 15V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRL3713STRLPBF datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IN74HC573AN			ИНТЕГРАЛ	8	41.58
		IN74HC573AN					82.00
		IN74HC573AN			????????
		IN74HC573AN			4-7 НЕДЕЛЬ	236
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)		175	462.50
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	STMicroelectronics
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTR
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	СИНГАПУР
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST1
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	SGS THOMSON
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	ST MICROELECTRO
		M27C4001-10F1		Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)	4-7 НЕДЕЛЬ	512
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOSHIBA
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%			56.36
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOS
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TEXAS INSTRUMENTS
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ТАИЛАНД
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ISO
		TLP521-2		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	ISOCOM
		КР249КН2Б				408	109.62
		КР249КН2Б			ПРОТОН	840	182.70
		КР249КН2Б			ИЗЛУЧАТЕЛЬ
		КР249КН2Б			ПРОТОН
		КР249КН4А					110.40
		КР249КН4А			ПРОТОН
		КР249КН4А			ИЗЛУЧАТЕЛЬ
		КР249КН4А			ПРОТОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"