SI2302CDS-T1-E3
|
MOSFET N-CH 20V SOT-23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Power - Max | 710mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADS1255IDBR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 | 1 190.95 | |||||
| ADS1255IDBR | TEXAS |
|
|
|||||
| ADS1255IDBR | 44 | 831.08 | ||||||
| C8051F121-GQR | SILAB |
|
|
|||||
| C8051F121-GQR | SLAB |
|
|
|||||
| C8051F121-GQR | 32 | 1 280.26 | ||||||
| C8051F121-GQR | Silicon Laboratories Inc |
|
|
|||||
| MTS-1 |
|
|
||||||
| R-17N1-B1K,L-15KC | SONG HUEI ELEC |
|
|
|||||
| R-17N1-B5K,L-15KC | SONG HUEI ELEC |
|
|
|||||
| R-17N1-B5K,L-15KC | КИТАЙ |
|
|
