|
Power - Max | 1.25W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 64pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.67nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 1.2A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LIR18650-PCB-LD | EEMB | |||||||
LIR18650-PCB-LD | ||||||||
LIR2032-LBY2 | EEMB | |||||||
LIR2032-LBY2 | ||||||||
MC78M12ABDTRKG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MC78M12ABDTRKG | ONS | |||||||
MC78M12ABDTRKG | ||||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | BOURNS | 16 201 | 15.74 | ||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | 29.40 | ||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | BOURNS | ||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | Bourns Inc | ||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | КИТАЙ | ||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | BOURNS SENSORS | ||||||
MF-MSMF010-2 | Предохранитель самовосстанавливающийся 60В, 40A, 85С, 1.5с | 0.00 | ||||||
TL062ID | ST MICROELECTRONICS | |||||||
TL062ID | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TL062ID | 25.48 | |||||||
TL062ID | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
TL062ID | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TL062ID | STMicroelectronics | |||||||
TL062ID | МАРОККО | |||||||
TL062ID | TEXAS | |||||||
TL062ID | STMICROELECTR |
|