|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД. |
|
Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
E65/32/27 B66387-G-N87 СЕРД. |
|
Сердечник ферритовый N85, 2200, 500 МГц
|
|
|
508.48
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
84.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
|
53.40
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
EIC
|
4 544
|
8.00
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
DC COMPONENTS
|
5 667
|
11.70
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YJ
|
16 227
|
5.52
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
PANJIT
|
1 955
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
DIOTEC
|
6 480
|
12.41
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
|
12 580
|
6.02
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
КИТАЙ
|
80
|
20.40
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
HOTTECH
|
8 000
|
7.87
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
BRIGHTKING
|
4
|
8.95
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
29
|
11.99
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
WUXI XUYANG
|
382
|
17.54
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
JJM
|
1 309
|
7.40
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YANGJIE
|
4 400
|
5.00
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
GENERAL
|
1 560
|
8.00
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
LGE
|
2 860
|
9.83
|
|
|
|
P6KE200A |
|
Супрессор однонаправленный (Vbr=190210V (200V nom) @It=1.0mA, tol=5%, Vwm=171V)
|
MIC
|
9 548
|
5.14
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
345
|
31.50
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 115
|
36.00
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|