Версия для печати
Технические характеристики BAS21HT1G

Current - Average Rectified (Io)	200mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	250V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 200V
Diode Type	Standard
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Capacitance @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD-323
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		L-1387QMP/1EGW			KGB
		L-1387QMP/1EGW			KB
		L-1387QMP/1EGW			KINGBRIGHT
		L-1387QMP/1EGW
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт			6.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONS
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR	6 564
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FAIRCHILD	62
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	HOTTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	KLS
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	SEMTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	0.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	1
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FUXIN	18 654	1.05
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	WILLAS ELECTRONIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS	800	1.97
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V			4.20
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTOR	2 036
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMIC
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONS-FAIR
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	SEMTECH	32	1.69
		MMBT3906LT1G		Транзистор GP SS PNP 40V	ONSEMI	352	6.53
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ONS	2 400	4.92
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTOR	2 988
		MMBTA06LT1G		Транзистор		16
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA06LT1G		Транзистор	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		416	2.82

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"