UF2B ДИОД УЛЬТРАБЫСТР.

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
UF2B ДИОД УЛЬТРАБЫСТР. (WTE)	16 482	4.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	159.60
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
AMS1117-ADJ SOT-223
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		1 320	9.98
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIR
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)			130.80
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	Fairchild Semiconductor
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	США
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC1
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS-FAIR
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 980	46.60
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO