MMUN2213LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMUN2213LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	7 887	3-4 недели Цена по запросу

TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2213LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	47K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMUN2213LT1G datasheet