![]() |
CAP ALUM 100UF 6.3V 20% SMD |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | ECAS |
Емкость | 100µF |
Voltage Rating | 6.3V |
Допустимые отклонения емкости | ±20% |
Tolerance | ±20% |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 105°C |
Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
Возможности | Polymer |
Ripple Current | 2A |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 15.0 mOhm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 2917 (7343 Metric) |
Size / Dimension | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
Высота | 0.075" (1.90mm) |
Surface Mount Land Size | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
CRA2512-FZ-R050ELF |
![]() |
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | BOURNS | 12 931 | 20.69 | |
![]() |
![]() |
CRA2512-FZ-R050ELF |
![]() |
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт | Bourns Inc |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CRA2512-FZ-R050ELF |
![]() |
Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт |
![]() |
![]() |
||
LD1117S50TR | ST MICROELECTRONICS | 5 831 | 18.30 | |||||
LD1117S50TR | 4 | 52.92 | ||||||
LD1117S50TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
|||||
LD1117S50TR | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
RT0603BRD0710KL | YAGEO | 410 835 | 1.61 | |||||
RT0603BRD0710KL | YAGEO | 3 076 |
![]() |
|||||
RT0603BRD0710KL |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
![]() |
RT0805BRE0730K1L |
![]() |
Yageo | 8 544 | 4.43 | ||
![]() |
![]() |
RT0805BRE0730K1L |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
КТ399АМ |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... |
![]() |
38.20 | |||
![]() |
КТ399АМ |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | СВЕТЛАНА | 80 | 32.13 | ||
![]() |
КТ399АМ |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | RUS |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|